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MOSFETs HXY HSI1022RT1GE3
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSI1022RT1GE3
点击复制 - 商品编号： G50858296
点击复制 - 封装规格： SOT-323
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备0.1A的漏极电流(ID)和60V的漏源电压(VDSS)，适用于需要较高耐压性能的小功率应用场景。其导通电阻为1300毫欧姆(RDON)，能够在保证电路正常工作的同时降低功耗。栅源电压(VGS)达到20V，确保了有效的开关控制。该MOSFET适合用于消费电子、便携式设备以及各种家用电器中的电源管理和信号控制等场景，是实现高效低功耗设计的理想选择。
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HSI1022RT1GE3 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSI1022RT1GE3 价格参考￥ 。 HXY HSI1022RT1GE3 封装/规格： SOT-323, 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备0.1A的漏极电流(ID)和60V的漏源电压(VDSS)，适用于需要较高耐压性能的小功率应用场景。其导通电阻为1300毫欧姆(RDON)，能够在保证电路正常工作的同时降低功耗。栅源电压(VGS)达到20V，确保了有效的开关控制。该MOSFET适合用于消费电子、便携式设备以及各种家用电器中的电源管理和信号控制等场景，是实现高效低功耗设计的理想选择。。你可以下载 HSI1022RT1GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSI1022RT1GE3
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