• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HRQ3E150GNTB
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• 商品编号： G50858277
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• 封装规格： DFN8L_3X3MM
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有高达100A的连续漏极电流（ID），适用于大电流需求的电路设计。其最大工作电压（VDSS）为30V，适合多种低压应用场合。导通电阻（RDSON）仅为4毫欧，能够显著降低能耗，提升系统的整体效率。该MOSFET的最大栅源电压（VGS）为20V，保证了良好的驱动兼容性和控制精度。这些特性使其成为开关电源、电机控制及高功率密度转换解决方案中的关键元件。 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有高达100A的连续漏极电流（ID），适用于大电流需求的电路设计。其最大工作电压（VDSS）为30V，适合多种低压应用场合。导通电阻（RDSON）仅为4毫欧，能够显著降低能耗，提升系统的整体效率。该MOSFET的最大栅源电压（VGS）为20V，保证了良好的驱动兼容性和控制精度。这些特性使其成为开关电源、电机控制及高功率密度转换解决方案中的关键元件。