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MOSFETs HXY HSI1926DLT1E3
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSI1926DLT1E3
点击复制 - 商品编号： G50858274
点击复制 - 封装规格： SOT-363
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道增强型场效应管（MOSFET）设计有0.1A的连续排水电流（ID），并能承受高达60V的断态电压（VDSS）。其特征还包括在20V栅源电压（VGS）下的导通电阻（RDSON）为1300毫欧。该MOSFET适用于低电流需求的应用场景，如消费电子产品的电池保护电路、便携装置中的负载开关或信号调节等，能够在小电流环境下提供可靠的性能。
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HSI1926DLT1E3 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSI1926DLT1E3 价格参考￥ 。 HXY HSI1926DLT1E3 封装/规格： SOT-363, 这款N沟道增强型场效应管（MOSFET）设计有0.1A的连续排水电流（ID），并能承受高达60V的断态电压（VDSS）。其特征还包括在20V栅源电压（VGS）下的导通电阻（RDSON）为1300毫欧。该MOSFET适用于低电流需求的应用场景，如消费电子产品的电池保护电路、便携装置中的负载开关或信号调节等，能够在小电流环境下提供可靠的性能。。你可以下载 HSI1926DLT1E3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSI1926DLT1E3
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