• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSI1026XT1GE3
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• 商品编号： G50858273
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• 封装规格： SOT-363
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的额定电流（ID），适用于精细控制和低功耗应用场合。其最大击穿电压（VDSS）为60V，适用于需要高电压稳定性的设计。导通状态下，此MOSFET展现出了1300毫欧（mΩ）的低导通电阻（RDSON），尽管相对较高，但在微小电流应用中可以忽略其影响。栅源电压（VGS）的最大允许值为20V，提供了宽泛的驱动信号范围。此款MOSFET适用于精密仪器、智能家居组件或小型电子设备中的开关及信号调节功能。 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的额定电流（ID），适用于精细控制和低功耗应用场合。其最大击穿电压（VDSS）为60V，适用于需要高电压稳定性的设计。导通状态下，此MOSFET展现出了1300毫欧（mΩ）的低导通电阻（RDSON），尽管相对较高，但在微小电流应用中可以忽略其影响。栅源电压（VGS）的最大允许值为20V，提供了宽泛的驱动信号范围。此款MOSFET适用于精密仪器、智能家居组件或小型电子设备中的开关及信号调节功能。