• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNTTFS4939NTAG
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• 商品编号： G50858271
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• 封装规格： DFN8L_3X3MM
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• 商品描述： 此款N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的最大连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适合需要大电流承载能力的应用场景。其导通电阻（RDON）仅为4毫欧，能够在高负载条件下保持较低的功耗，提升整体效率。该MOSFET的栅源电压（VGS）为±20V，提供了灵活的控制选项。适用于电源转换、开关控制等电子电路，能够实现快速、稳定的响应，满足高性能电子设备的设计要求。 此款N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的最大连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适合需要大电流承载能力的应用场景。其导通电阻（RDON）仅为4毫欧，能够在高负载条件下保持较低的功耗，提升整体效率。该MOSFET的栅源电压（VGS）为±20V，提供了灵活的控制选项。适用于电源转换、开关控制等电子电路，能够实现快速、稳定的响应，满足高性能电子设备的设计要求。