• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNTTFS4C10NTAG
  点击复制
• 商品编号： G50858270
  点击复制
• 封装规格： DFN8L_3X3MM
  点击复制
• 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）拥有60安培的最大连续漏极电流和30伏特的漏源极击穿电压，适用于需要高电流承载能力的应用。其导通电阻仅为6毫欧，有助于减少工作过程中的能量损失和发热量，提升系统效率。该MOSFET支持的栅源极电压范围为±20伏特，提供了灵活的驱动选项。适用于电源适配器、充电器、开关电源及电子负载等场合，是实现高效能转换和控制的理想选择。 本款N沟道场效应管（MOSFET）拥有60安培的最大连续漏极电流和30伏特的漏源极击穿电压，适用于需要高电流承载能力的应用。其导通电阻仅为6毫欧，有助于减少工作过程中的能量损失和发热量，提升系统效率。该MOSFET支持的栅源极电压范围为±20伏特，提供了灵活的驱动选项。适用于电源适配器、充电器、开关电源及电子负载等场合，是实现高效能转换和控制的理想选择。