• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSQ1563AEHT1GE3
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• 商品编号： G50858269
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• 封装规格： SOT-363
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• 商品描述： 这款场效应管（MOSFET）属于N+P沟道类型，具备0.8A的最大漏极电流（ID），能够承受高达20V的漏源电压（VDSS）。其低至320毫欧的导通电阻（RDSON）有助于减少能量损耗。该MOSFET支持±12V范围内的栅源电压（VGS），适合用于多种电子设备中的信号放大、逻辑电路或开关应用，同时在小型化的电源管理和消费类电子产品中的性能表现尤为突出。 这款场效应管（MOSFET）属于N+P沟道类型，具备0.8A的最大漏极电流（ID），能够承受高达20V的漏源电压（VDSS）。其低至320毫欧的导通电阻（RDSON）有助于减少能量损耗。该MOSFET支持±12V范围内的栅源电压（VGS），适合用于多种电子设备中的信号放大、逻辑电路或开关应用，同时在小型化的电源管理和消费类电子产品中的性能表现尤为突出。