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MOSFETs HXY HIRF630PBF

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: HIRF630PBF
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  • 商品编号: G50858267
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  • 封装规格: TO-220
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  • 商品描述: 该N沟道场效应管具备9A的连续漏极电流能力,支持高达200V的漏源电压。其导通电阻仅为220毫欧姆,保证了较低的功率损耗与高效的电能转换。栅源电压范围为20V,适用于需要精确控制和快速开关的应用场景。此MOSFET设计紧凑、性能可靠,适合于各种要求严苛的电子设备中作为开关元件或信号放大器使用。

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型号:HIRF630PBF
MOSFETs
MOSFETs HXY HIRF630PBF
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HIRF630PBFHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HIRF630PBF 价格参考¥ 。 HXY HIRF630PBF 封装/规格: TO-220, 该N沟道场效应管具备9A的连续漏极电流能力,支持高达200V的漏源电压。其导通电阻仅为220毫欧姆,保证了较低的功率损耗与高效的电能转换。栅源电压范围为20V,适用于需要精确控制和快速开关的应用场景。此MOSFET设计紧凑、性能可靠,适合于各种要求严苛的电子设备中作为开关元件或信号放大器使用。。你可以下载 HIRF630PBF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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