• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNTJD5121NT1G
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• 商品编号： G50858265
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• 封装规格： SOT-363
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• 商品描述： 该N沟道增强型场效应管（MOSFET）设计用于精密控制场合，具备0.1A的漏极电流（ID），以及60V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为1300毫欧，在20V的栅源电压（VGS）驱动下提供可靠的电流路径。此MOSFET适用于需要精细调节电流强度的应用场景，例如电子玩具、智能家居组件或小型电子模块中的信号放大与处理环节，能够确保电路在高压差下的稳定性和精确度。 该N沟道增强型场效应管（MOSFET）设计用于精密控制场合，具备0.1A的漏极电流（ID），以及60V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为1300毫欧，在20V的栅源电压（VGS）驱动下提供可靠的电流路径。此MOSFET适用于需要精细调节电流强度的应用场景，例如电子玩具、智能家居组件或小型电子模块中的信号放大与处理环节，能够确保电路在高压差下的稳定性和精确度。