• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNX138BKWX
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• 商品编号： G50858264
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• 封装规格： SOT323-3
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V的最大漏源电压（VDSS），可在高达20V的栅源电压（VGS）下工作。其导通电阻（RDSON）为1300毫欧，在额定电流（ID/A）为0.1A时，适合用于需要精细电流控制的应用中。该MOSFET适用于电子爱好者或研发实验室中的原型制作，特别是在那些需要高电压而电流负载较小的场合，如家用电器的微控制器输出驱动或LED驱动电路。其高耐压特性结合较低的功耗，保证了在各种精密控制应用中的可靠性。 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V的最大漏源电压（VDSS），可在高达20V的栅源电压（VGS）下工作。其导通电阻（RDSON）为1300毫欧，在额定电流（ID/A）为0.1A时，适合用于需要精细电流控制的应用中。该MOSFET适用于电子爱好者或研发实验室中的原型制作，特别是在那些需要高电压而电流负载较小的场合，如家用电器的微控制器输出驱动或LED驱动电路。其高耐压特性结合较低的功耗，保证了在各种精密控制应用中的可靠性。