• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNVTFS5C680NLTAG
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• 商品编号： G50858261
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• 封装规格： DFN8L_3X3MM
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• 商品描述： 此款N沟道场效应管（MOSFET），具备30A的最大连续漏极电流（ID）与60V的漏源极间耐压（VDSS）。其导通电阻（RDON）仅为24毫欧，在确保高效能的同时，有效降低了功率损耗。该器件支持最高20V的栅源电压（VGS），确保了宽泛的工作条件下的稳定性能。适用于各类电源转换、信号调节及开关控制电路中，能够满足对效率与可靠性有高要求的应用需求。 此款N沟道场效应管（MOSFET），具备30A的最大连续漏极电流（ID）与60V的漏源极间耐压（VDSS）。其导通电阻（RDON）仅为24毫欧，在确保高效能的同时，有效降低了功率损耗。该器件支持最高20V的栅源电压（VGS），确保了宽泛的工作条件下的稳定性能。适用于各类电源转换、信号调节及开关控制电路中，能够满足对效率与可靠性有高要求的应用需求。