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MOSFETs HXY HDMN601DWK
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HDMN601DWK
点击复制 - 商品编号： G50858258
点击复制 - 封装规格： SOT363(SC70-6)
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的排水电流（ID），能够承受60V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为1300毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时提供可靠的性能。该MOSFET适用于对电流需求不高但对电压敏感的应用，如消费电子产品的信号级驱动或低压控制电路中作为开关使用。其特性使得它在需要精细控制的小信号处理场合中表现良好。(DMN601DWK-7)
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HDMN601DWK 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HDMN601DWK 价格参考￥ 。 HXY HDMN601DWK 封装/规格： SOT363(SC70-6), 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的排水电流（ID），能够承受60V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为1300毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时提供可靠的性能。该MOSFET适用于对电流需求不高但对电压敏感的应用，如消费电子产品的信号级驱动或低压控制电路中作为开关使用。其特性使得它在需要精细控制的小信号处理场合中表现良好。(DMN601DWK-7)。你可以下载 HDMN601DWK 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HDMN601DWK
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