• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNVTFS4C10NTAG
  点击复制
• 商品编号： G50858256
  点击复制
• 封装规格： DFN8L_3X3MM
  点击复制
• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有60A的最大连续漏极电流和30V的漏源极断态电压（VDSS），适用于多种电路设计需求。其导通电阻低至6毫欧（mΩ），在大电流条件下可显著降低功耗，提升系统效率。该MOSFET支持最大20V的栅源电压（VGS），确保了在广泛的工作电压范围内的稳定性能。适用于电源管理、信号处理等领域的精密控制和高效转换，是电子项目中的理想选择。 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有60A的最大连续漏极电流和30V的漏源极断态电压（VDSS），适用于多种电路设计需求。其导通电阻低至6毫欧（mΩ），在大电流条件下可显著降低功耗，提升系统效率。该MOSFET支持最大20V的栅源电压（VGS），确保了在广泛的工作电压范围内的稳定性能。适用于电源管理、信号处理等领域的精密控制和高效转换，是电子项目中的理想选择。