• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HBSZ050N03LSG
  点击复制
• 商品编号： G50858191
  点击复制
• 封装规格： DFN8L_3X3MM
  点击复制
• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有100安培的最大连续漏极电流（ID/A），30伏特的漏源极耐压（VDSS/V），以及仅4毫欧的导通电阻（RDSON/mR）。其栅源电压（VGS/V）为20伏特，支持更广泛的驱动电压范围，提高了灵活性。此款MOSFET适用于高电流密度要求的电路设计，例如电源供应器、DC-DC转换器和信号放大等应用场景。其出色的导电性能和耐压能力，使得在高效率和可靠性方面表现卓越，是高性能电子产品中的理想选择。 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有100安培的最大连续漏极电流（ID/A），30伏特的漏源极耐压（VDSS/V），以及仅4毫欧的导通电阻（RDSON/mR）。其栅源电压（VGS/V）为20伏特，支持更广泛的驱动电压范围，提高了灵活性。此款MOSFET适用于高电流密度要求的电路设计，例如电源供应器、DC-DC转换器和信号放大等应用场景。其出色的导电性能和耐压能力，使得在高效率和可靠性方面表现卓越，是高性能电子产品中的理想选择。