• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNTR3C21NZT1G
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• 商品编号： G50858190
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• 封装规格： SOT23-3L
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有6.5A的最大漏极电流（ID），能够在高达20V的漏源电压（VDSS）环境下稳定操作。其导通电阻（RDSON）仅为14毫欧，在12V的栅源电压（VGS）条件下展现出色性能。该MOSFET适用于多种电子设备中的开关应用，例如在个人电子产品中的电源路径管理、电池供电装置内的切换开关，以及小型化的DC-DC转换器中作为高效能的功率级元件使用，确保了电流传输的效率与系统的可靠性。 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有6.5A的最大漏极电流（ID），能够在高达20V的漏源电压（VDSS）环境下稳定操作。其导通电阻（RDSON）仅为14毫欧，在12V的栅源电压（VGS）条件下展现出色性能。该MOSFET适用于多种电子设备中的开关应用，例如在个人电子产品中的电源路径管理、电池供电装置内的切换开关，以及小型化的DC-DC转换器中作为高效能的功率级元件使用，确保了电流传输的效率与系统的可靠性。