• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HFDG6332C
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• 商品编号： G50858171
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• 封装规格： SOT363(SC70-6)
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• 商品描述： 这款场效应管（MOSFET）属于N+P沟道类型，其最大导通电流（ID/A）为0.8A，在保证安全使用的前提下，可承受的最大电压（VDSS/V）为20V。当栅源电压（VGS/V）达到12V时，此MOSFET可以实现有效的开关控制。此外，其导通电阻（RDSON/mR）仅为320毫欧，这意味着在导通状态下，该元件能有效地减少能量损耗，提高电路效率。这些特性使得它非常适合用于一般电子设备中的电源管理及信号放大等应用场景中。 这款场效应管（MOSFET）属于N+P沟道类型，其最大导通电流（ID/A）为0.8A，在保证安全使用的前提下，可承受的最大电压（VDSS/V）为20V。当栅源电压（VGS/V）达到12V时，此MOSFET可以实现有效的开关控制。此外，其导通电阻（RDSON/mR）仅为320毫欧，这意味着在导通状态下，该元件能有效地减少能量损耗，提高电路效率。这些特性使得它非常适合用于一般电子设备中的电源管理及信号放大等应用场景中。