• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HAM60N0209D
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• 商品编号： G50857754
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• 封装规格： TO252-2L
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）能够承载60A的持续漏极电流，具有20V的漏源电压耐受能力。其导通电阻仅为5mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。该MOSFET在12V栅源电压下表现出色，适用于需要高效能和快速响应的应用场合，如消费电子设备中的电源管理、开关电源、便携式设备的电池保护电路以及各种家用电器内的控制模块。 这款N沟道场效应管（MOSFET）能够承载60A的持续漏极电流，具有20V的漏源电压耐受能力。其导通电阻仅为5mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。该MOSFET在12V栅源电压下表现出色，适用于需要高效能和快速响应的应用场合，如消费电子设备中的电源管理、开关电源、便携式设备的电池保护电路以及各种家用电器内的控制模块。