• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HFDD050N03B
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• 商品编号： G50857751
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• 封装规格： TO252-2
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• 商品描述： 此款N沟道场效应管（MOSFET）提供100A的最大连续漏极电流，可承受30V的最大漏源电压，适合于需要高电流密度的应用场景。其导通电阻低至3.8毫欧，有助于减少工作时的热损失，提高能源效率。该MOSFET的栅源电压范围为±20V，确保了与多种驱动电路的良好兼容性。它适用于电源供应、电池管理和信号放大等多种电路设计中，是实现高效能、低损耗操作的理想选择。 此款N沟道场效应管（MOSFET）提供100A的最大连续漏极电流，可承受30V的最大漏源电压，适合于需要高电流密度的应用场景。其导通电阻低至3.8毫欧，有助于减少工作时的热损失，提高能源效率。该MOSFET的栅源电压范围为±20V，确保了与多种驱动电路的良好兼容性。它适用于电源供应、电池管理和信号放大等多种电路设计中，是实现高效能、低损耗操作的理想选择。