• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HBSC098N10NS5ATMA1
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• 商品编号： G50857750
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• 封装规格： DFN-8(6x5)
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• 商品描述： 该款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80A的最大漏极电流（ID），支持高达100V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为6.4毫欧，在20V的栅源电压（VGS）下操作，适合用于需要高效电力转换的应用中。此MOSFET适用于各种电源管理解决方案，例如在消费电子产品的开关模式电源（SMPS）中作为功率级元件，或是在便携设备中充当负载开关，确保了电路的可靠性和效率。其优良的电气特性使其成为设计紧凑型高性能电子装置的理想选择。 该款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80A的最大漏极电流（ID），支持高达100V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为6.4毫欧，在20V的栅源电压（VGS）下操作，适合用于需要高效电力转换的应用中。此MOSFET适用于各种电源管理解决方案，例如在消费电子产品的开关模式电源（SMPS）中作为功率级元件，或是在便携设备中充当负载开关，确保了电路的可靠性和效率。其优良的电气特性使其成为设计紧凑型高性能电子装置的理想选择。