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MOSFETs HXY HSQD25N0622LGE3
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSQD25N0622LGE3
点击复制 - 商品编号： G50857746
点击复制 - 封装规格： TO-252-2L(TO-252AA)
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道MOSFET拥有30A的连续漏极电流（ID/A）能力，能够承受高达60V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，有效降低了导通状态下的功耗。栅源电压（VGS）的最大范围为±20V，提供了可靠的驱动性能。该MOSFET适用于多种需要快速开关及高效能的应用场景，如个人电子设备中的DC/DC转换器或家庭娱乐系统的电源管理模块。
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HSQD25N0622LGE3 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSQD25N0622LGE3 价格参考￥ 。 HXY HSQD25N0622LGE3 封装/规格： TO-252-2L(TO-252AA), 这款N沟道MOSFET拥有30A的连续漏极电流（ID/A）能力，能够承受高达60V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，有效降低了导通状态下的功耗。栅源电压（VGS）的最大范围为±20V，提供了可靠的驱动性能。该MOSFET适用于多种需要快速开关及高效能的应用场景，如个人电子设备中的DC/DC转换器或家庭娱乐系统的电源管理模块。。你可以下载 HSQD25N0622LGE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSQD25N0622LGE3
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