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MOSFETs HXY HNVD4804NT4G
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HNVD4804NT4G
点击复制 - 商品编号： G50857745
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 该N沟道场效应管(MOSFET)具备出色的性能参数，其最大漏极电流ID可达100A，适用于高负载场景。耐压值VDSS为30V，保证了在中等电压范围内的稳定运行。导通电阻RDON仅为3.8mΩ，有助于减少工作时的热损耗，提高效率。栅源电压VGS支持至20V，确保了良好的驱动兼容性。这款MOSFET因其低内阻和高效能特性，适合用于需要快速开关响应与良好散热性的电子电路设计中，如电源管理、LED照明控制等领域。
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HNVD4804NT4G 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNVD4804NT4G 价格参考￥ 。 HXY HNVD4804NT4G 封装/规格： TO252-2L, 该N沟道场效应管(MOSFET)具备出色的性能参数，其最大漏极电流ID可达100A，适用于高负载场景。耐压值VDSS为30V，保证了在中等电压范围内的稳定运行。导通电阻RDON仅为3.8mΩ，有助于减少工作时的热损耗，提高效率。栅源电压VGS支持至20V，确保了良好的驱动兼容性。这款MOSFET因其低内阻和高效能特性，适合用于需要快速开关响应与良好散热性的电子电路设计中，如电源管理、LED照明控制等领域。。你可以下载 HNVD4804NT4G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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