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MOSFETs HXY HIPD25N06S4L30
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HIPD25N06S4L30
点击复制 - 商品编号： G50857744
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID），适用于要求较高电流承载能力的设计。其最大漏源电压（VDSS）为60V，适用于低压大电流应用环境。导通状态下的低电阻（RDSON）仅22毫欧，有助于减少电力损耗，提高效率。最大栅源电压（VGS）为20V，提供稳定的控制信号范围。该MOSFET适用于消费电子产品中，如开关电源、LED照明驱动及电池管理系统等场合。
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HIPD25N06S4L30 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HIPD25N06S4L30 价格参考￥ 。 HXY HIPD25N06S4L30 封装/规格： TO252-2L, 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID），适用于要求较高电流承载能力的设计。其最大漏源电压（VDSS）为60V，适用于低压大电流应用环境。导通状态下的低电阻（RDSON）仅22毫欧，有助于减少电力损耗，提高效率。最大栅源电压（VGS）为20V，提供稳定的控制信号范围。该MOSFET适用于消费电子产品中，如开关电源、LED照明驱动及电池管理系统等场合。。你可以下载 HIPD25N06S4L30 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HIPD25N06S4L30
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