• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HPHD97NQ03LT118
  点击复制
• 商品编号： G50857741
  点击复制
• 封装规格： TO-252-2L(DPAK)
  点击复制
• 商品描述： 该款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流能力，耐压高达30V，导通电阻仅为5mΩ，确保了低损耗与高效能。其栅源电压范围为20V，适用于多种电源转换及管理场景，如开关电源、电池管理系统等。此元件设计紧凑，易于集成到电路板中，特别适合要求高效率、小体积的应用场合。 该款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流能力，耐压高达30V，导通电阻仅为5mΩ，确保了低损耗与高效能。其栅源电压范围为20V，适用于多种电源转换及管理场景，如开关电源、电池管理系统等。此元件设计紧凑，易于集成到电路板中，特别适合要求高效率、小体积的应用场合。