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MOSFETs HXY HSUD50N0306P
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSUD50N0306P
点击复制 - 商品编号： G50857739
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管(MOSFET)拥有100A的最大漏极电流(ID)，能够承受30V的漏源电压(VDSS)，适用于需要高电流处理能力的应用。其导通电阻仅为3.8mΩ，有效降低了功耗并提升了效率。栅极-源极间最大电压(VGS)为20V，确保了良好的兼容性和稳定性。此MOSFET适合用于各种要求快速开关速度与低能耗的电子设备中，如电源转换器、负载控制及信号放大等场景。
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HSUD50N0306P 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSUD50N0306P 价格参考￥ 。 HXY HSUD50N0306P 封装/规格： TO252-2L, 这款N沟道场效应管(MOSFET)拥有100A的最大漏极电流(ID)，能够承受30V的漏源电压(VDSS)，适用于需要高电流处理能力的应用。其导通电阻仅为3.8mΩ，有效降低了功耗并提升了效率。栅极-源极间最大电压(VGS)为20V，确保了良好的兼容性和稳定性。此MOSFET适合用于各种要求快速开关速度与低能耗的电子设备中，如电源转换器、负载控制及信号放大等场景。。你可以下载 HSUD50N0306P 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSUD50N0306P
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