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MOSFETs HXY HNP32N055SLE
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HNP32N055SLE
点击复制 - 商品编号： G50857738
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30安培的最大漏极电流ID，能够支持较高功率的应用场景。其最大漏源电压VDSS达到60伏特，适用于多种工作环境下的电路设计。该器件的导通电阻仅为22毫欧姆，确保了低功耗和高效运行。栅源电压VGS在±20伏特范围内工作，使得它成为需要良好热性能与可靠性的电子设备的理想选择，如电源管理、消费电子产品等。
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HNP32N055SLE 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNP32N055SLE 价格参考￥ 。 HXY HNP32N055SLE 封装/规格： TO252-2L, 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30安培的最大漏极电流ID，能够支持较高功率的应用场景。其最大漏源电压VDSS达到60伏特，适用于多种工作环境下的电路设计。该器件的导通电阻仅为22毫欧姆，确保了低功耗和高效运行。栅源电压VGS在±20伏特范围内工作，使得它成为需要良好热性能与可靠性的电子设备的理想选择，如电源管理、消费电子产品等。。你可以下载 HNP32N055SLE 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HNP32N055SLE
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