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MOSFETs HXY HSTD30NF06LAG

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: HSTD30NF06LAG
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  • 商品编号: G50857737
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  • 封装规格: TO252-2L
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  • 商品描述: 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备卓越的电气性能,其最大连续漏极电流ID可达30A,能够承受高达60V的漏源电压VDSS。该器件拥有低至22mΩ的导通电阻RDON,确保了在高负载下的高效能运行。同时,它支持-20V到+20V的栅源电压VGS范围,适用于要求快速开关和良好热性能的应用场景。此MOSFET是电源管理、LED照明以及消费电子等领域中实现电路控制与保护的理想选择。

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型号:HSTD30NF06LAG
MOSFETs
MOSFETs HXY HSTD30NF06LAG
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HSTD30NF06LAGHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSTD30NF06LAG 价格参考¥ 。 HXY HSTD30NF06LAG 封装/规格: TO252-2L, 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备卓越的电气性能,其最大连续漏极电流ID可达30A,能够承受高达60V的漏源电压VDSS。该器件拥有低至22mΩ的导通电阻RDON,确保了在高负载下的高效能运行。同时,它支持-20V到+20V的栅源电压VGS范围,适用于要求快速开关和良好热性能的应用场景。此MOSFET是电源管理、LED照明以及消费电子等领域中实现电路控制与保护的理想选择。。你可以下载 HSTD30NF06LAG 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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