HSTD30NF06LAG 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSTD30NF06LAG 价格参考¥ 。 HXY HSTD30NF06LAG 封装/规格: TO252-2L, 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备卓越的电气性能,其最大连续漏极电流ID可达30A,能够承受高达60V的漏源电压VDSS。该器件拥有低至22mΩ的导通电阻RDON,确保了在高负载下的高效能运行。同时,它支持-20V到+20V的栅源电压VGS范围,适用于要求快速开关和良好热性能的应用场景。此MOSFET是电源管理、LED照明以及消费电子等领域中实现电路控制与保护的理想选择。。你可以下载 HSTD30NF06LAG 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版: HSTD30NF06LAG