• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HHUF76429D3ST
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• 商品编号： G50857736
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• 封装规格： TO-252-2L(DPAK)
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）支持高达30A的连续排水电流（ID），并且能够在60V的漏源电压（VDSS）条件下正常工作。其导通电阻（RDSON）低至22毫欧，在20V的栅源电压（VGS）控制下展现出良好的导电性能。该MOSFET适用于多种消费电子产品的设计，如适配器、充电器等场合的高效电源管理，以及需要低损耗切换的应用，确保了电路在高频操作下的稳定性和效率。 这款N沟道场效应管（MOSFET）支持高达30A的连续排水电流（ID），并且能够在60V的漏源电压（VDSS）条件下正常工作。其导通电阻（RDSON）低至22毫欧，在20V的栅源电压（VGS）控制下展现出良好的导电性能。该MOSFET适用于多种消费电子产品的设计，如适配器、充电器等场合的高效电源管理，以及需要低损耗切换的应用，确保了电路在高频操作下的稳定性和效率。