HHUF76429D 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HHUF76429D 价格参考¥ 。 HXY HHUF76429D 封装/规格: TO252-2L, 这款N沟道场效应管(MOSFET)拥有30A的连续漏极电流(ID)能力,最大漏源电压(VDSS)为60V,并能在20V的栅源电压(VGS)下工作。其导通电阻(RDSON)仅为0.022Ω,有效降低了导通状态下的能量损耗,提高了系统的整体效率。该MOSFET适用于消费电子产品的电源管理,如电池充电控制、直流电机驱动以及其他需要高效能电力转换的应用场合。(HUF76429D3ST)。你可以下载 HHUF76429D 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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