• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HDMN6040SK3Q13
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• 商品编号： G50857734
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• 封装规格： TO-252-2L(DPAK)
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• 商品描述： 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续导通电流（ID/A），最大可承受60V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）低至22毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）下表现优异。该MOSFET适用于多种电子设备中的电源转换及保护电路，如便携式设备充电管理、LED照明驱动等，能有效提升系统的整体性能，并确保在高负载条件下的稳定性。其低导通电阻有助于减少热损耗，适合用于需要高效能和可靠性的设计方案中。 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续导通电流（ID/A），最大可承受60V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）低至22毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）下表现优异。该MOSFET适用于多种电子设备中的电源转换及保护电路，如便携式设备充电管理、LED照明驱动等，能有效提升系统的整体性能，并确保在高负载条件下的稳定性。其低导通电阻有助于减少热损耗，适合用于需要高效能和可靠性的设计方案中。