• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HFDD5810
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• 商品编号： G50857733
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• 封装规格： TO-252-2L(DPAK)
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• 商品描述： 这款N沟道MOSFET拥有30A的导通电流（ID/A），能够承受60V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）下工作。此MOSFET适用于各类电子装置中的电源管理，例如在电池充电控制、DC/DC转换器以及便携式电子产品的电源路径管理中，它能够提供可靠的开关性能。其低导通电阻有助于减少电力损耗，从而提高整体效率，并且在高频应用中表现出色。 这款N沟道MOSFET拥有30A的导通电流（ID/A），能够承受60V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）下工作。此MOSFET适用于各类电子装置中的电源管理，例如在电池充电控制、DC/DC转换器以及便携式电子产品的电源路径管理中，它能够提供可靠的开关性能。其低导通电阻有助于减少电力损耗，从而提高整体效率，并且在高频应用中表现出色。