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MOSFETs HXY HIPD30N03S4L09ATMA1
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HIPD30N03S4L09ATMA1
点击复制 - 商品编号： G50857732
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的最大工作电压（VDSS），可在高达100A的连续电流（ID/A）下工作，并且在导通状态下拥有低至3.8毫欧的漏源电阻（RDSON）。其最大栅源电压（VGS）为±20V，适合用于要求低功耗和高效率的电路设计中，例如便携设备充电器或家用电器的电源转换电路，能有效提升系统的整体效率并降低发热。
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HIPD30N03S4L09ATMA1 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HIPD30N03S4L09ATMA1 价格参考￥ 。 HXY HIPD30N03S4L09ATMA1 封装/规格： TO252-2L, 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的最大工作电压（VDSS），可在高达100A的连续电流（ID/A）下工作，并且在导通状态下拥有低至3.8毫欧的漏源电阻（RDSON）。其最大栅源电压（VGS）为±20V，适合用于要求低功耗和高效率的电路设计中，例如便携设备充电器或家用电器的电源转换电路，能有效提升系统的整体效率并降低发热。。你可以下载 HIPD30N03S4L09ATMA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HIPD30N03S4L09ATMA1
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