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MOSFETs HXY HSQD25N0622L
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSQD25N0622L
点击复制 - 商品编号： G50857731
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 此款MOSFET为N沟道类型，具备30A的连续漏极电流（ID/A）处理能力，在60V的最大漏源电压（VDSS/V）下能够稳定工作。其导通电阻（RDSON/mR）仅为22毫欧姆，在20V的最大栅源电压（VGS/V）驱动下，可以实现高效能的电流切换与控制。适用于需要高效率能量转换的应用中，如便携式电子产品中的电源管理模块或消费类电子设备的开关电源设计。该MOSFET的特性使其成为设计紧凑且高性能电路的理想选择。(SQD25N06-22L_GE3)
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HSQD25N0622L 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSQD25N0622L 价格参考￥ 。 HXY HSQD25N0622L 封装/规格： TO252-2L, 此款MOSFET为N沟道类型，具备30A的连续漏极电流（ID/A）处理能力，在60V的最大漏源电压（VDSS/V）下能够稳定工作。其导通电阻（RDSON/mR）仅为22毫欧姆，在20V的最大栅源电压（VGS/V）驱动下，可以实现高效能的电流切换与控制。适用于需要高效率能量转换的应用中，如便携式电子产品中的电源管理模块或消费类电子设备的开关电源设计。该MOSFET的特性使其成为设计紧凑且高性能电路的理想选择。(SQD25N06-22L_GE3)。你可以下载 HSQD25N0622L 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSQD25N0622L
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