• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNP22N055SLE
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• 商品编号： G50857730
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• 封装规格： TO252-2L
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• 商品描述： 这款N沟道MOSFET拥有30A的最大漏极电流能力，能够满足中等功率应用的需求。其60V的最大漏源电压使其适用于多种低压环境下的电路设计。导通电阻为22mΩ，有助于降低功耗并提高整体效率。此外，支持高达20V的栅源电压，确保了良好的驱动兼容性。该MOSFET适合用于消费电子产品、家用电器以及各种需要精确控制与高效能源管理的场合，是实现稳定可靠的开关和电源管理功能的理想选择。 这款N沟道MOSFET拥有30A的最大漏极电流能力，能够满足中等功率应用的需求。其60V的最大漏源电压使其适用于多种低压环境下的电路设计。导通电阻为22mΩ，有助于降低功耗并提高整体效率。此外，支持高达20V的栅源电压，确保了良好的驱动兼容性。该MOSFET适合用于消费电子产品、家用电器以及各种需要精确控制与高效能源管理的场合，是实现稳定可靠的开关和电源管理功能的理想选择。