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MOSFETs HXY HCSD19537Q3
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HCSD19537Q3
点击复制 - 商品编号： G50857728
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能特点，其连续排水电流ID可达80A，适用于大电流需求的电路设计；漏源击穿电压VDSS为100V，确保了在高压环境下的可靠性；导通状态下，其漏源电阻RDSON仅为6.4毫欧，有助于减少能量损耗，提高效率。此MOSFET支持最大栅源电压VGS为20V，适用于各种高功率密度转换器、电源开关及电池管理系统等领域中的精密控制应用。
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HCSD19537Q3 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HCSD19537Q3 价格参考￥ 。 HXY HCSD19537Q3 封装/规格： DFN-8(6x5), 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能特点，其连续排水电流ID可达80A，适用于大电流需求的电路设计；漏源击穿电压VDSS为100V，确保了在高压环境下的可靠性；导通状态下，其漏源电阻RDSON仅为6.4毫欧，有助于减少能量损耗，提高效率。此MOSFET支持最大栅源电压VGS为20V，适用于各种高功率密度转换器、电源开关及电池管理系统等领域中的精密控制应用。。你可以下载 HCSD19537Q3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HCSD19537Q3
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