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MOSFETs HXY HCSD19533Q5A
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HCSD19533Q5A
点击复制 - 商品编号： G50857726
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）设计用于高性能电子应用，支持最大漏极电流ID达80A，拥有高达100V的最大漏源电压VDSS。其导通电阻仅为6.4毫欧姆，有效降低了工作时的能耗。该MOSFET在栅源电压VGS为20V条件下可达到最佳性能状态。适用于要求严格控制与高效能转换的各种场合，如电源管理、开关电路以及其他需要快速切换和低功耗特性的电子产品中。
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HCSD19533Q5A 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HCSD19533Q5A 价格参考￥ 。 HXY HCSD19533Q5A 封装/规格： DFN-8(6x5), 这款N沟道场效应管（MOSFET）设计用于高性能电子应用，支持最大漏极电流ID达80A，拥有高达100V的最大漏源电压VDSS。其导通电阻仅为6.4毫欧姆，有效降低了工作时的能耗。该MOSFET在栅源电压VGS为20V条件下可达到最佳性能状态。适用于要求严格控制与高效能转换的各种场合，如电源管理、开关电路以及其他需要快速切换和低功耗特性的电子产品中。。你可以下载 HCSD19533Q5A 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HCSD19533Q5A
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