• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HMCG50N03TP
  点击复制
• 商品编号： G50857723
  点击复制
• 封装规格： DFN8L_3X3MM
  点击复制
• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）提供80A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，拥有4.7mΩ的超低导通电阻，支持±20V的栅源电压。其卓越的电气特性适合应用于精密的电源管理、快速开关电路和高效的能量转换系统中。低导通电阻不仅减少了功率损耗，还提高了系统的整体效率，确保了在高负载条件下的稳定运行。此外，该MOSFET的紧凑设计也便于集成到空间受限的设计中。 这款N沟道场效应管（MOSFET）提供80A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，拥有4.7mΩ的超低导通电阻，支持±20V的栅源电压。其卓越的电气特性适合应用于精密的电源管理、快速开关电路和高效的能量转换系统中。低导通电阻不仅减少了功率损耗，还提高了系统的整体效率，确保了在高负载条件下的稳定运行。此外，该MOSFET的紧凑设计也便于集成到空间受限的设计中。