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MOSFETs HXY HSIR882DPT1GE3
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSIR882DPT1GE3
点击复制 - 商品编号： G50857720
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID/A），可在高达100V的漏源电压（VDSS/V）下正常操作。其导通电阻（RDSON/mR）仅6.4毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）条件下，有效降低了导通时的功耗。该MOSFET适用于消费电子产品中的开关电源、DC/DC转换器及各类负载开关应用，有助于提升系统的整体效率与可靠性。
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HSIR882DPT1GE3 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSIR882DPT1GE3 价格参考￥ 。 HXY HSIR882DPT1GE3 封装/规格： DFN-8(6x5), 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID/A），可在高达100V的漏源电压（VDSS/V）下正常操作。其导通电阻（RDSON/mR）仅6.4毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）条件下，有效降低了导通时的功耗。该MOSFET适用于消费电子产品中的开关电源、DC/DC转换器及各类负载开关应用，有助于提升系统的整体效率与可靠性。。你可以下载 HSIR882DPT1GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSIR882DPT1GE3
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