• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HKMB3D5N40SA
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• 商品编号： G50856724
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• 封装规格： SOT-23
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• 商品描述： 这款N沟道场效应晶体管（MOSFET）具备5A的连续漏极电流能力，支持高达40V的漏源电压。其低至30mΩ的导通电阻有助于减少功率损耗和发热。栅源电压范围为20V，保证了良好的驱动兼容性。适用于要求高效能、紧凑设计的各种电子电路中，如电源管理、负载开关及信号控制等场景，能够满足对空间和效率有较高要求的应用场合。 这款N沟道场效应晶体管（MOSFET）具备5A的连续漏极电流能力，支持高达40V的漏源电压。其低至30mΩ的导通电阻有助于减少功率损耗和发热。栅源电压范围为20V，保证了良好的驱动兼容性。适用于要求高效能、紧凑设计的各种电子电路中，如电源管理、负载开关及信号控制等场景，能够满足对空间和效率有较高要求的应用场合。