• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSI2319DST1GE3
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• 商品编号： G50856722
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• 封装规格： SOT-23
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• 商品描述： 这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有5A的连续漏极电流（ID）和40V的最大漏源电压（VDSS），适用于多样化的电路设计。其导通电阻（RDS(on)）为68mΩ，在20V的栅源电压（VGS）下工作，确保了在低电压条件下仍能保持良好的导电性能和较低的能耗。此元件广泛适用于电源转换、信号处理等应用领域，尤其在需要高效能和低热产生的情况下表现优异，是众多电子设备的理想选择。 这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有5A的连续漏极电流（ID）和40V的最大漏源电压（VDSS），适用于多样化的电路设计。其导通电阻（RDS(on)）为68mΩ，在20V的栅源电压（VGS）下工作，确保了在低电压条件下仍能保持良好的导电性能和较低的能耗。此元件广泛适用于电源转换、信号处理等应用领域，尤其在需要高效能和低热产生的情况下表现优异，是众多电子设备的理想选择。