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MOSFETs HXY HSI2318CDST1GE3
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSI2318CDST1GE3
点击复制 - 商品编号： G50856720
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 该款N沟道场效应管（MOSFET）具有出色的电气特性，适用于广泛的电路设计中。其最大漏极电流ID可达5A，击穿电压VDSS为40V，确保了在高电压环境下的稳定工作。导通电阻RDON低至30mΩ，在大电流应用中能有效减少发热，提高效率。栅源电压VGS范围宽至20V，为驱动提供了灵活性。此MOSFET适合用于电源管理、信号切换等精密控制场合，能够满足高性能要求。
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HSI2318CDST1GE3 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSI2318CDST1GE3 价格参考￥ 。 HXY HSI2318CDST1GE3 封装/规格： SOT-23, 该款N沟道场效应管（MOSFET）具有出色的电气特性，适用于广泛的电路设计中。其最大漏极电流ID可达5A，击穿电压VDSS为40V，确保了在高电压环境下的稳定工作。导通电阻RDON低至30mΩ，在大电流应用中能有效减少发热，提高效率。栅源电压VGS范围宽至20V，为驱动提供了灵活性。此MOSFET适合用于电源管理、信号切换等精密控制场合，能够满足高性能要求。。你可以下载 HSI2318CDST1GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSI2318CDST1GE3
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