• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HFQD19N10LTM
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• 商品编号： G50855788
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• 封装规格： TO-252-2L(DPAK)
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）设计有15A的连续排水电流（ID），适用于需要大电流处理能力的应用。其额定漏源电压（VDSS）为100V，确保了在高压环境下的可靠性能。导通电阻（RDSON）仅为100毫欧，有助于在负载条件下保持低发热和高效率。该MOSFET的最大栅源电压（VGS）为±20V，增强了驱动兼容性和灵活性。适用于各种需要高性能电力转换与控制的场合，如高性能计算硬件的电源管理单元或日常家用电器的电机驱动部分。 这款N沟道场效应管（MOSFET）设计有15A的连续排水电流（ID），适用于需要大电流处理能力的应用。其额定漏源电压（VDSS）为100V，确保了在高压环境下的可靠性能。导通电阻（RDSON）仅为100毫欧，有助于在负载条件下保持低发热和高效率。该MOSFET的最大栅源电压（VGS）为±20V，增强了驱动兼容性和灵活性。适用于各种需要高性能电力转换与控制的场合，如高性能计算硬件的电源管理单元或日常家用电器的电机驱动部分。