• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSTL110N10F7
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• 商品编号： G50855787
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• 封装规格： DFN-8(6x5)
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID/A），适用于要求较高的电流应用场合。其最大工作电压（VDSS/V）为100V，能够承受较高电压环境下的工作需求。导通电阻（RDSON/mR）仅为7.3毫欧，这意味着在导通状态下其自身损耗较小，效率更高。栅源电压（VGS/V）的最大值为20V，确保了有效的开关操作。此MOSFET适合用于需要高效能和可靠性的电路设计中，如电源管理、便携式设备的电源开关等应用场景。 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID/A），适用于要求较高的电流应用场合。其最大工作电压（VDSS/V）为100V，能够承受较高电压环境下的工作需求。导通电阻（RDSON/mR）仅为7.3毫欧，这意味着在导通状态下其自身损耗较小，效率更高。栅源电压（VGS/V）的最大值为20V，确保了有效的开关操作。此MOSFET适合用于需要高效能和可靠性的电路设计中，如电源管理、便携式设备的电源开关等应用场景。