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MOSFETs HXY HIPD220N06L3GBTMA1
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HIPD220N06L3GBTMA1
点击复制 - 商品编号： G50855785
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）设计用于高效率的电流控制应用，支持高达50A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）。其15毫欧的导通电阻（RDON）在20V栅源电压（VGS）下表现出色，有效减少了功率损失，提升了系统效率。该MOSFET适用于电源供应、电池管理及电子设备中的快速开关操作，确保了设备运行的稳定性和安全性。
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HIPD220N06L3GBTMA1 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HIPD220N06L3GBTMA1 价格参考￥ 。 HXY HIPD220N06L3GBTMA1 封装/规格： TO252-2L, 这款N沟道场效应管（MOSFET）设计用于高效率的电流控制应用，支持高达50A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）。其15毫欧的导通电阻（RDON）在20V栅源电压（VGS）下表现出色，有效减少了功率损失，提升了系统效率。该MOSFET适用于电源供应、电池管理及电子设备中的快速开关操作，确保了设备运行的稳定性和安全性。。你可以下载 HIPD220N06L3GBTMA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HIPD220N06L3GBTMA1
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