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MOSFETs HXY HSiR804DP
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSiR804DP
点击复制 - 商品编号： G50855784
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的最大连续漏极电流（ID）与30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高电流需求的电路中。其低至4.7毫欧的导通电阻（RDON）在20V栅源电压（VGS）条件下工作，显著降低了功率损耗，提高了能效。该MOSFET适用于各种需要高效开关或调节电流的应用场合，如电源转换、信号处理等领域，确保了系统的稳定性和可靠性。(SIR804DP-T1-GE3)
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HSiR804DP 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSiR804DP 价格参考￥ 。 HXY HSiR804DP 封装/规格： DFN-8(6x5), 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的最大连续漏极电流（ID）与30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高电流需求的电路中。其低至4.7毫欧的导通电阻（RDON）在20V栅源电压（VGS）条件下工作，显著降低了功率损耗，提高了能效。该MOSFET适用于各种需要高效开关或调节电流的应用场合，如电源转换、信号处理等领域，确保了系统的稳定性和可靠性。(SIR804DP-T1-GE3)。你可以下载 HSiR804DP 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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