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MOSFETs HXY HNP23N06YDG
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HNP23N06YDG
点击复制 - 商品编号： G50855783
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 此款N沟道MOSFET场效应管，具有30安培的最大连续漏极电流（ID）和60伏特的漏源极击穿电压（VDSS），确保了其在高电流和高压条件下的可靠工作。其导通电阻（RDS(ON)）仅为20毫欧，有助于减少发热，提高电路效率。支持最高20伏特的栅源电压（VGS），使得该元件能够适应多种电路设计需求。适用于电源转换、电池管理以及需要高性能开关控制的电子设备中。(NP23N06YDG-E1-AY)
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HNP23N06YDG 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNP23N06YDG 价格参考￥ 。 HXY HNP23N06YDG 封装/规格： DFN-8(6x5), 此款N沟道MOSFET场效应管，具有30安培的最大连续漏极电流（ID）和60伏特的漏源极击穿电压（VDSS），确保了其在高电流和高压条件下的可靠工作。其导通电阻（RDS(ON)）仅为20毫欧，有助于减少发热，提高电路效率。支持最高20伏特的栅源电压（VGS），使得该元件能够适应多种电路设计需求。适用于电源转换、电池管理以及需要高性能开关控制的电子设备中。(NP23N06YDG-E1-AY)。你可以下载 HNP23N06YDG 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HNP23N06YDG
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