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MOSFETs HXY HIPD06P004N
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HIPD06P004N
点击复制 - 商品编号： G50855782
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 此P沟道场效应管(MOSFET)具有稳定的电气性能，支持最大连续漏极电流ID达20A，适用于需要较高负载能力的场景。其漏源电压VDSS为60V，提供足够的过压保护空间。导通电阻RDON为64mΩ，有助于减少能量损耗，提升效率。栅源电压VGS上限至20V，确保了与多种驱动电路的良好匹配性。该MOSFET适合应用于消费电子、智能家居等领域的开关控制及电源管理，能够有效增强系统稳定性和能效表现。
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HIPD06P004N 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HIPD06P004N 价格参考￥ 。 HXY HIPD06P004N 封装/规格： TO252-2L, 此P沟道场效应管(MOSFET)具有稳定的电气性能，支持最大连续漏极电流ID达20A，适用于需要较高负载能力的场景。其漏源电压VDSS为60V，提供足够的过压保护空间。导通电阻RDON为64mΩ，有助于减少能量损耗，提升效率。栅源电压VGS上限至20V，确保了与多种驱动电路的良好匹配性。该MOSFET适合应用于消费电子、智能家居等领域的开关控制及电源管理，能够有效增强系统稳定性和能效表现。。你可以下载 HIPD06P004N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HIPD06P004N
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