• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HIPD50N06S4L12ATMA2
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• 商品编号： G50855778
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• 封装规格： TO252-2L
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续排水电流（ID），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为11毫欧，在20V的栅源电压（VGS）下能有效降低功耗。该MOSFET适用于需要高效能与可靠性的电子设计中，如电源管理、便携式设备的电源开关以及适配器中的开关应用等。其优良的电气特性使其成为设计紧凑型高性能电路的理想选择。 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续排水电流（ID），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为11毫欧，在20V的栅源电压（VGS）下能有效降低功耗。该MOSFET适用于需要高效能与可靠性的电子设计中，如电源管理、便携式设备的电源开关以及适配器中的开关应用等。其优良的电气特性使其成为设计紧凑型高性能电路的理想选择。