alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs HXY HRD3L01BATTL1

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: HRD3L01BATTL1
    点击复制
  • 商品编号: G50855776
    点击复制
  • 封装规格: TO252-2L
    点击复制
  • 商品描述: 这款P沟道MOSFET具备20A的漏极电流承载能力和60V的漏源电压耐受度,适用于多种电子设备中。其导通电阻仅为64mΩ,有助于降低系统能耗,提高工作效率。最大栅源电压为20V,保证了良好的驱动兼容性和稳定性。该产品适合应用于电源控制、信号处理等领域,是实现高效电路设计的理想选择。

  • 商品详情
  • 技术文档
  • 相关问答
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:HRD3L01BATTL1
MOSFETs
MOSFETs HXY HRD3L01BATTL1
数据手册 (起订)
---
当前型号询价
  • 型号推荐
  • 最新产品推荐
  • 品牌分类

HRD3L01BATTL1HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HRD3L01BATTL1 价格参考¥ 。 HXY HRD3L01BATTL1 封装/规格: TO252-2L, 这款P沟道MOSFET具备20A的漏极电流承载能力和60V的漏源电压耐受度,适用于多种电子设备中。其导通电阻仅为64mΩ,有助于降低系统能耗,提高工作效率。最大栅源电压为20V,保证了良好的驱动兼容性和稳定性。该产品适合应用于电源控制、信号处理等领域,是实现高效电路设计的理想选择。。你可以下载 HRD3L01BATTL1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: HRD3L01BATTL1

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照