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MOSFETs HXY HSQD40N0614LGE3
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSQD40N0614LGE3
点击复制 - 商品编号： G50855775
点击复制 - 封装规格： TO-252-2L(TO-252AA)
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管(MOSFET)的最大漏极电流ID为50A，能够承受高达60V的漏源电压VDSS，适用于需要处理中等功率的应用场合。其导通电阻RDON为11mΩ，有助于降低工作时的能耗并提高整体效率。栅源电压VGS支持至20V，确保了与多种驱动电路的良好兼容性。此MOSFET非常适合用于电子设备中的开关控制、电源管理以及信号调节等领域，满足对快速响应时间和可靠性的要求。
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HSQD40N0614LGE3 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSQD40N0614LGE3 价格参考￥ 。 HXY HSQD40N0614LGE3 封装/规格： TO-252-2L(TO-252AA), 这款N沟道场效应管(MOSFET)的最大漏极电流ID为50A，能够承受高达60V的漏源电压VDSS，适用于需要处理中等功率的应用场合。其导通电阻RDON为11mΩ，有助于降低工作时的能耗并提高整体效率。栅源电压VGS支持至20V，确保了与多种驱动电路的良好兼容性。此MOSFET非常适合用于电子设备中的开关控制、电源管理以及信号调节等领域，满足对快速响应时间和可靠性的要求。。你可以下载 HSQD40N0614LGE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSQD40N0614LGE3
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