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MOSFETs HXY HFDD5680
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HFDD5680
点击复制 - 商品编号： G50855774
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有强大的电流承载能力和较低的导通电阻，其连续漏极电流ID可达50A，最大漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON仅为11mΩ，确保了高效能表现。器件支持的栅源极电压VGS范围至20V，适用于需要快速开关响应和低损耗的应用场景。该MOSFET凭借其优异的性能，是构建高效电源转换器、信号放大及各类电子装置中不可或缺的关键元件。
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HFDD5680 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HFDD5680 价格参考￥ 。 HXY HFDD5680 封装/规格： TO252-2L, 此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有强大的电流承载能力和较低的导通电阻，其连续漏极电流ID可达50A，最大漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON仅为11mΩ，确保了高效能表现。器件支持的栅源极电压VGS范围至20V，适用于需要快速开关响应和低损耗的应用场景。该MOSFET凭借其优异的性能，是构建高效电源转换器、信号放大及各类电子装置中不可或缺的关键元件。。你可以下载 HFDD5680 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HFDD5680
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